MP3410电源管理芯片系统接通后，芯片内部的高压LDO从漏极引脚汲取电流，为VDD电容器供电。当VDD电压低于欠压保护阈值 (典型值3.1V) 时，芯片进入休眠模式，而内部同步整流器MOSFET进入截止状态，次级绕组电流通过内部同步整流器MOSFET的体二极管续流。当VDD电压高于VDD开启电压 (典型值为4V) 时，芯片开始工作。芯片的内部同步整流MOSFET只能在次级侧的续流过程中打开。

MP3410电源管理芯片的性能特点：

* 1.3A, 550KHz同步整流降压变换器

* 关断模式下，输出与输入断开

* 内部同步整流器浪涌电流限制和内部软启动功能

* 1.3A 典型开关管限流保护550kHz 固定开关频率零电流关断模式

* TSOT-23 封装