MP2672GD-000D-Z电源管理芯片集成脉宽调制外设控制功率mosfet。 pwm1 控制内部 mosfet Q1 和 Q2，pwm2 控制内部 mosfet Q3，如框图所示。请注意，如果使用半桥模式，用户应禁用 pwm1 和启用 pwm2。

MP2672GD-000D-Z电源管理芯片共有三个配置寄存器供客户配置：PWM 周期[15:0]、PWM 占空比[15:0] 和 PWM 死区时间[15:0]。对于目标开关频率 fsw (hz)，pwm period[15:0] 寄存器应配置为 24m/fsw。 PWM 占空比[15:0] 寄存器应始终编程为 PWM 周期[15:0] 寄存器。

当占空比小于 50% 时，PWM 死区 [15:0] 寄存器的可编程设置。公式如下： 占空比 = 50% - PWM Dead Time[15:0] / PWM Period[15:0] 要设置 50% 的占空比，PWM Dead Time[15:0] 应该配置为 0。要设置 10% 的占空比，PWM 死区时间[15:0] 应配置为0.4*PWM Period[15:0]。