CCM 模式的预测性关断通过SR开关波形捕获Vg/n、Vo、T1信息，根据负秒平衡原理估算SR关断点，其控制算法与MOSFET导通电阻无关，应用灵活，SR深导通，转换效率高；但需要使用电阻和积分电容提取相关信息，外围复杂，误差大；在不平衡伏秒条件下（模式切换）存在技术风险。

ZXTN25012EFHTA电源管理芯片介绍：

概括

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC（续）= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述

先进的工艺能力和包装设计已被用于最大限度地提高这个小外形的功率处理和性能晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想的适用于空间非常宝贵的应用。

特征

• 高功耗 SOT23 封装

• 高峰值电流

• 非常高的增益

• 低饱和电压

• 6V 反向阻断电压

应用

• MOSFET 栅极驱动器

• 电源开关

• 电机控制

• 直流风扇

• DC-DC 转换器