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升降压芯片厂家介绍MP2492DN-LF-Z

时间:2022-05-07 预览:756

升降压芯片厂家介绍MP2492DN-LF-Z

随着使用时间的增加,充电后的锂离子电池电压会逐渐降低,最终降至规格标准值以下。这个时候就需要充电了。在不充电的情况下继续使用可能会导致电池因过度放电而无法使用。为了防止过放,MP2492DN-LF-Z升降压芯片检测电池电压,一旦过放检测电压低于过放检测电压,放电侧的功率MOSFET必须关断,以切断电池电压释放。但此时电池本身仍有自然放电,存在升降压芯片的电流消耗,因此需要尽量减少保护IC的电流消耗。

当不明原因发生短路时,MP2492DN-LF-Z升降压芯片必须立即停止放电。过流检测使用功率 MOSFET 的 Rds(on) 作为感抗来监测电压降。如果此时电压高于过电流检测电压,则停止放电。为了为了使功率MOSFET的Rds(on)在充电电流和放电电流中有效工作,阻抗值应尽可能低。目前阻抗在20mΩ~30mΩ左右,这样过流检测电压可以更低。

电池组与充电器连接时,会瞬间产生高压,因此MP2492DN-LF-Z升降压芯片应满足耐高压要求。在保护状态下,其静态电流消耗必须小于0.1μA。部分电池可能存放时间过长或异常原因。电压低至0V,所以MP2492DN-LF-Z升降压芯片需要能够在0V充电。