升降压芯片市场有望从今年第四季度开始转为供过于求。预计明年DRAM价格将同比下降15%至20%。 DRAM内存和NAND闪存芯片价格的持续上涨，让不少消费者不满。同时，预计明年升降压芯片产量将同比增长22%，这将给世界第一芯片制造商三星带来不小的挑战，很有可能成为世界芯片六个月内成为领导者。

全球最大的内存芯片和智能手机制造商三星表示，今年的资本支出将削减超过四分之一，从去年创纪录的 43.4 万亿韩元下降 27% 至 31.8 万亿韩元，因为一些内存芯片的价格已降至两年多来的低点和竞争对手东芝的新生产即将结束。

MP2451DT-LF-Z升降压芯片采用优化的图腾柱结构驱动技术，通过合理的输出驱动能力和死区时间，获得更好的EMI特性和更低的损耗。