MP9185GL-Z升降压芯片集成度高，功能强大。其复杂的内部结构给它的性能和参数测试带来了很大的困难。那么MP9185GL-Z升降压芯片的测试有哪些难点？

首先，MP9185GL-Z升降压芯片内部结构复杂。测试它，需要测试电路的工作原理，电路的结构，以及元件之间的关系。对参数的原理和相应的测试方法有深刻的理解。

其次，MP9185GL-Z升降压芯片包含很多相对独立的部分。测试各部分的相关参数，需要设计专门的测试电路覆盖所有测试项目，因此测试系统需要有相应的测试时间参数的测量路径（TMU），精度单位（PMU）用于测试输出特性等，而芯片所需的参数包括频率、时间、电压等不同类型的物理量，还包括一些需要扫描测试的阈值量，所以复测系统必须针对不同的部位、不同的物理量有专门的测试路线。

第三，由于MP9185GL-Z升降压芯片内部元器件相互交互，所以在测试某个参数时，需要考虑其他模块对其的影响。这是要考虑整个设备和各个部件的工作模式。工作模式下模块的相互关系。

第四，因为MP9185GL-Z升降压芯片的一些参数对测试比较敏感，所以要求测试线路和被测电路的距离不能太大，或者在测试过程中，一些小状态引脚可能会影响该参数的测试精度，甚至导致功能消失。因此，在设计测试计划的时候，需要考虑一些外围的控制路径会如何处理这个问题。

基于根据以上分析及其他一些因素，目前国内还没有理想的测试系统可以完全完成所有MP9185GL-Z升降压芯片的测试。目前的设备基本上只能测试基本的直流参数、时间参数等，很好的满足了芯片生产应用的测试要求。