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BAW101Q与PI3EQX1002B1ZLEX升降压芯片的区别

时间:2022-05-27 预览:887

BAW101Q与PI3EQX1002B1ZLEX升降压芯片的区别

根据2015年5月中国国务院颁布的《中国制造2025》规划,中国政府对半导体行业的长期目标是实现集成电路相当程度的自给自足。在《中国制造2025》中,2020年我国集成电路自给率指标为40%,2025年为70%。

但IC Insights分析近日公开认为,这一目标过于“乐观”,认为在中国没有核心技术的情况下,2025年实现这一目标并不实际。IC Insights的论点是财务水平不是问题。

一、BAW101Q升降压芯片的性能特点

* 小讯号开关二极管

* 开关速度快,反向击穿电压高

* 一个紧凑的封装中的两个电气隔离元件

* 低泄漏电流

二、PI3EQX1002B1ZLEX升降压芯片的性能特点

* 信号完整性 - ReDriver/ 信号中继器 / 调节器  1端口USB 3.1 Gen 2 10Gbps双驱动

* 带线性均衡器的5和10Gbps串行链路 USB3。1和USB3。0兼容USB3。1超高速标准 两个10Gbps差分信号对

* 引脚可调输出线性调节 引脚可调接受信号同步处理

* 自动接收机检测

* 自适应电源管理的自动“睡眠”模式

* 单电源电压:3.3V