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BAS20DWQ与BZT52C5V6LP升降压芯片的比较

时间:2022-05-28 预览:796

BAS20DWQ与BZT52C5V6LP升降压芯片的比较

受SoC设计趋势的影响,近年来国内升降压芯片厂商的技术呈现出越来越强的模块化趋势。一方面,设备变得越来越复杂。更多功能的特性、更快和更复杂的处理器需要更先进的电源管理解决方案。电源管理技术需要在更小的硅芯片上集成更多功能,并以更高的设计灵活性实现更强的系统电源性能。这正在改变传统的电源设计方法。另一方面,模块化升降压芯片可以有效降低系统设计的复杂度,节省电路板空间,提高系统的长期可靠性,还可以有效降低系统成本。好处是显而易见的。结果,市场上的模块化升降压芯片开始浮出水面。

一、BAS20DWQ升降压芯片的性能特点

• 贴片高压双开关二极管

• VRRM 200V

• VR(RMS)106V

• IO 200 mA

• IFSM 2.5 /0.5 A

• IFRM 625 mA

二、BZT52C5V6LP升降压芯片的性能特点

• VF 0.9 V

• PD 250 mW

• VZ @ IZT  5.6V

• ZZT @ IZT 40

• IR  1.0uA  @VR 2.0V