今年以来，中国内部集成电路产业在许多技术领域取得了可喜的成绩。在芯片设计方面，16 nm的先进设计水平得到了进一步提高。在芯片制造方面，中芯国际今年在2月宣布其28 nm高介电常数金属栅工艺成功铺开，这标志着中芯国际成为中国内地首家能够同时提供28 nm多晶硅和高介电常数金属栅技术的晶圆代工企业。在批量生产的基础上完成了技术升级，实现了工艺节点的技术覆盖。在封装测试方面，长电科技投入2亿美元，帮助兴科金鹏积极布局高端SiP项目。随着下游高端客户需求的增加及，将带动星科收入和利润的快速增长。

一、MP6612DGF-Z电源管理芯片厂家介绍

该 MP6612D 是一个 H 桥电机驱动器，驱动可逆电动机。它可以驱动一个直流电机，一个步进电机绕组和其他负载。H 桥由四个 N 沟道功率 MOSFET 和一个内部电荷泵产生栅极驱动电压组成。输出通过 DIR 和 EN BL 引脚控制。

二、NB650AGL-Z电源管理芯片厂家介绍

6A, 28V，高效同步降压变换器，具有快速瞬态响应、2位 VID输入以及OCP锁存模式。