AL5809-50QP1-7升降压芯片是一款高性能同步整流电源开关，用于替代反激式转换器中的次级肖特基二极管。它内置具有超低导通电阻的功率 MOSFET，可提高系统效率。 AL5809-50QP1-7 支持浮动和共地同步整流架构，并支持不连续 (DCM) 和准谐振 (QR) 工作模式。

AL5809-50QP1-7升降压芯片内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低系统成本，集成了 VDD 欠压保护功能和 VDD 电压钳位。

一、升降压芯片AL5809-50QP1-7的主要特点：

▲ 反激拓扑二次侧同步整流断路器

▲ 同时支持“浮动”和“共地”同步整流拓扑

▲ 支持非连续工作模式（DCM）和准谐振工作模式（QR）

▲ <300uA 超低静态电流

▲ 内置 VDD 高压供电模块，无需 VDD 辅助绕组供电

▲ 内置 40V 功率 MOSFET

▲ 内部内置保护：电压保护 (UVLO)、VDD 电压钳位（>5 mA 钳位电流）

▲ 封装信息 SOP-8

二、升降压芯片 AL5809-50QP1-7 典型应用：

▲ 反激式转换器

▲ 充电器

三、升降压芯片AL5809-50QP1-7 引脚说明：

▲ 1、2、3 GND IC 参考地，也是内部功率 MOSFET 的源极

▲ 4 VDD IC供电脚，推荐0.1uF陶瓷电容

▲ 5、6、7、8漏极内置功率MOSFET漏极