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升降压芯片MBR5200VPTR-E1

时间:2022-03-28 预览:919

升降压芯片MBR5200VPTR-E1

升降压芯片MBR5200VPTR-E1,典型输出功率10W,内置高压电源三极管,可提供高精度的恒压恒流输出性能,特别适用于低功耗离线充电器应用。MBR5200VPTR-E1可以在无异常声音的情况下工作,同时确保出色的动态性能。利用集成线损补偿功能,可以获得高性能的恒压输出性能。

升降压芯片MBR5200VPTR-E1集成了各种保护功能,如VDD欠压保护 (UVLO) 、VDD过压保护 (OVP) 、逐周期限流保护 (OCP) 、短路保护 (FB SLP) 、输出过压保护 (FBOVP) 、过热保护 (OTP) 等。MBR5200VPTR-E1还集成了电源系统单点故障保护,可实现FB上拉电阻开路、FB下拉电阻短路、输出二极管或SR开路、输出二极管或SR短路等故障情况下的保护,变压器绕组短路、RCS开路等。

升降压芯片MBR5200VPTR-E1引脚功能描述:

1 VDD芯片电源引脚。

2-3 FB系统反馈引脚。辅助绕组电压由电阻器分压,然后发送到FB引脚,用于CV模式输出电压控制和CC模式输出电流控制。

4 CS电流采样输入引脚

5-6 C内置功率三极管收集器。

7 GND芯片参考接地。