得益于资本投入、市场需求持续旺盛以及国外大厂向单一的趋势，国产替代迎来了黄金发展期。国产升降压芯片的发展应合理利用市场真空期，国产替代仍大有可为。

电子技术升降压芯片ZXTN25012EFHTA与MBR2150VRTR-G1相同。这两个芯片都是MBR2150VRTR-G1的替代品。典型的应用是65w二次外部驱动MOS。

升降压芯片U2281的主要特点:

1、可支持间歇模式和连续模式的初级边缘恒流技术

2、5% 恒流精度; 1% 恒压精度

3、待机功耗75mW

4、固定65KHz开关频率

5、绿色省电模式和打嗝模式工作

6、启动和工作电流

7、集成频率抖动功能优化EMI

8、集成内坡补偿电流模式控制

9、集成线电压和电感补偿的恒流技术

10、集成自恢复模式的保护功能：VDD欠压保护 (UVLO) 、VDD过压保护 (OVP) 、过热保护 (OTP) 、逐周期限流、过载保护 (OLP) 、短路保护 (SCP) 、前缘消隐 (LEB) 、CS引脚开路保护

目前，下游市场消费电子终端厂商削减订单和淡季到来，需求略显疲软，上游材料价格也开始抑制客户需求。随着资本的不断涌入，消费级升降压芯片赛道逐渐拥挤，企业发展应进行判断，避免演变成大规模的价格战。