非标准电源管理芯片节省了一些安全装置，电容容量可以尽可能小。虽然不是主流选择，但由于适当的成本控制，受众并不少。MPM3805GQB-Z功率芯片输出规格为5、9、12-18W，适用于PD/QC市场，VDD-40V max18W。

MPM3805GQB-Z电源管理芯片将专用电流模式PWM模式控制器与4A/630V MOSFEET相结合。MPM3805GQB-Z低待机功率、低功耗、低电磁兼容性和低成本。适用于12w范围内的离线反激式转换器输出功率。MPM3805GQB-Z集成了多种保护功能: VDD欠压保护 (UVLO) 、VDD过压保护 (OVP) 、逐周期限流保护 (OCP) 、短路保护 (SLP) 、VDD钳位等。

MPM3805GQB-Z电源管理芯片的主要特点:

* 集成650V MOSFET

* 4% 恒流恒压精度

* 待机功耗 <70mW

* 多模式主边缘控制模式

* 在工作中没有不同的声音

* 优化动态响应

* 可调线损补偿

* 集成线电压和负载电压的恒流补偿

* 集成完善的保护功能

MPM3805GQB-Z电源管理芯片引脚定义:

1 GND芯片参考接地。

2 VDD芯片电源引脚。

3 FB反馈输入引脚。闭环控制连接到光电耦合器。该引脚电压确定PWM驱动信号的占空比和CS引脚的截止电压。

4 CS电流采样输入引脚。

5-8 D内置功率MOSFET漏极。

MPM3805GQB-Z电源管理芯片是最近半导体频繁出货的材料。小伙伴们可以详细了解一下。