反激式转换器_充电器DIODES升降压芯片MP1653GTF-Z同时支持“浮动”和“共地”同步整流架构，支持系统间断工作模式（DCM）和准谐振工作模式（QR），是一款高性能同步整流功率开关用于替代反激变换器中的次级侧肖特基二极管，内置超低导通电阻功率MOSFET，提高系统效率；集成了VDD欠压保护功能和VDD电压钳位，内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低系统成本。

当DIODES升降压芯片 MP1653GTF-Z 稳压器开启时，IC 内部的 7.1V 稳压器会从其 Drain 引脚汲取电流给 VDD 供电，使 VDD 电压恒定在 7.1V 左右。基于高频去耦和电源考虑，建议选择容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。

反激式转换器_充电器DIODES升降压芯片MP1653GTF-Z 特点：反激拓扑二次侧同步整流电源开关，支持“浮地”和“共地”两种拓扑同步整流，支持断续工作模式（DCM）和准谐振工作模式（QR），<300uA超低静态电流，内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，内置40V功率MOSFET。

DIODES升降压芯片MP1653GTF-Z系统启动：芯片内部的高压LDO从漏极引出电流给VDD电容供电。当 VDD 电压低于欠压保护阈值（3.1V 典型值）时，芯片进入休眠模式，内部同步整流 MOSFET 进入关断状态，次级绕组电流通过体二极管实现续流内部同步整流MOSFET。当 VDD 电压高于 VDD开启电压后（典型值为4V），芯片开始工作。芯片内部的同步整流MOSFET只能在副边续流期间导通。