5v2A专用DIODES升降压芯片MP157GJ-Z + MP150GJ-Z的组合，以满足更好的认证要求，从而满足市场的蓬勃发展。

DIODES升降压芯片MP157GJ-Z的特点如下：

* 内置超高压电源BTJ

* 开谷，初级边缘控制，系统效率高

* 多模式主边缘控制模式

* 出色的动态响应

* 集成动态三极管驱动电路

* 在工作中没有不同的声音

* 优化EMI性能

* 恒流恒压调整率小于5%

* 超低待机功耗 <30mW

* CV模式可编程输出线压降补偿

* 内置完美保护功能: 输出短路保护 (FB SLP)、逐周期限流保护 (OCP)、前沿消隐 (LEB)、芯片过热保护 (OTP)、VDD过压、欠压和钳位保护、输出过压保护功能 (FB OVP)

* 采用封装类型为SOP-7

DIODES升降压芯片MP150GJ-Z的主要特点：

* 反激式拓扑二次同步整流电源开关

* 支持 “浮地” 和 “共地” 两种拓扑同步整流

* 支持间歇操作模式 (DCM) 和准谐振操作模式 (QR)

* <300uA超低静态电流

* 内置VDD高压电源模块，无需VDD辅助绕组电源

* 内置40v功率MOSFET

* 内部集成保护: VDD欠压保护 (UVLO)、VDD电压钳位 (>5mA钳位电流)