反激式转换器 _ 充电器DIODES升降压芯片MP1495SGJ-Z支持 “浮地” 和 “共地” 同步整流两种架构，支持系统不连续运行模式 (DCM) 和准谐振运行模式 (QR)。DIODES升降压芯片MP1495SGJ-Z是一款高性能同步整流电源开关，用于取代反激式转换器中的次级肖特基二极管，内置超低导通阻抗功率MOSFET，提高系统效率。内部集成了VDD欠压保护功能和VDD电压钳位，并内置VDD高压电源模块，不需要VDD辅助绕组电源，降低了系统成本。

在接通原始MOSFET上的DIODES升降压芯片MP1495SGJ-Z调节器期间，内部的7.1V调节器将从其漏极引脚汲取电流以向VDD供电，使得VDD电压恒定在约7.1V。基于高频去耦和电源的考虑，建议选择容量为1uF的陶瓷电容器作为VDD电容器。

DIODES升降压芯片MP1495SGJ-Z芯片的主要特点如下：

* 反激式拓扑二次同步整流电源开关，支持 “浮地” 和 “共地” 同步整流两种拓扑；

* 支持间歇运行模式 (DCM) 和准谐振运行模式 (QR)；

* <300uA超低静态电流，内置VDD高压电源模块，无需VDD辅助绕组电源，内置40v功率MOSFET。

DIODES升降压芯片MP1495SGJ-Z系统启动：系统启动后，芯片内部的高压LDO从漏极引脚汲取电流，为VDD电容器供电。当VDD电压低于欠压保护阈值 (典型值3.1V) 时，芯片进入休眠模式，而内部同步整流器MOSFET进入截止状态，次级绕组电流通过内部同步整流器MOSFET的体二极管续流。当VDD电压高于VDD开启电压 (典型值为4V) 时，芯片开始工作。芯片的内部同步整流MOSFET只能在次级侧的续流过程中打开。