DIODES电源管理芯片 MBR2150VRTR-G1的主要特点:

* 内置超高压电源BTJ

* 开谷，初级边缘控制，系统效率高

* 多模式主边缘控制模式

* 出色的动态响应

* 集成动态三极管驱动电路

* 在工作中没有异常的声音

* 优化EMI性能

* 恒流恒压调整率小于5%

* 待机功耗 <30mW

* CV模式可编程输出线压降补偿

* 内置完美保护功能：输出短路保护 (FB SLP)、逐周期限流保护 (OCP)、前沿消隐 (LEB)、芯片过热保护 (OTP)、VDD过压、欠压和钳位保护、输出过压保护功能 (FB OVP)

* 封装类型采用SOP-7

DIODES电源管理芯片 MBR2150VRTR-G1 (85-265Vac) 的典型电源推荐：2.5W、5W、6W。