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2022-04
由于人体可以接触到充电器的外壳，因此安规要求外壳温度应低于75度，以避免人体烫伤PD快充因功率密度较高、非正常工作条件下（如辉棉），避免温度过高导致外壳熔化（一般PC材质耐温<125度）；因此，增加了输出恒流，以避免在宽电压输出时由于某个工作点
2022-04
当充电器在不同电压下工作时，市电的持续高压是充电器面临的主要安全威胁之一。机器的罪魁祸首是C2过热、阀门损坏后为nF级电容，差模电感L1加上变压器漏感和寄生电容振荡，振荡峰值电压高达数百伏特，容易造成Q1击穿，进而损坏CS电阻等多个元件。受同样的电量
2022-04
近年来，智能手机的发展越来越快。很多手机都搭载了PD快充技术，大大提升了我们手机的充电速度。但是，由于USB PD充电器功率密度的提高和输出电压范围的拓宽，存在三大安全挑战：主要是电网波动带来的安全挑战、功率器件发热的安全挑战、安全挑战对手机 PMU
2022-04
MP4012DS-LF-Z电源管理芯片解决了以往使用肖特基二极管提高系统效率因在低压和大电流系统中损耗二极管的瓶颈。MP4012DS-LF-Z电源管理芯片具有电流跟踪和关断技术，反激式芯片控制功率MOSFET。开关实现同步整流功能，为提高效率降低损耗
2022-04
MP4030GS-Z电源管理芯片包含同步整流控制器和N型功率MOSFET，内置10mΩ 80V Trench MOSFET，适用于CCM、DCM和QR工作模式，具有电流跟踪关断技术，可准确检测内置功率MOSFET漏极和源极之间的电压差使关断阈值成为最
2022-04
MP4059GS-Z电源管理芯片包括同步整流控制器和高雪崩能力功率MOSFET，内置11mΩ 60V Trench MOSFET，适用于3.6V-20V宽电源范围工作，用于替代高性能AC/DC反激系统中的次级级整流肖特基二极管，MP4059GS-Z电
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