什么是MOS管的雪崩？雪崩容限是指施加电压时的击穿电阻。当功率MOSFET反向偏置时，内部载流子会受到漏极电压和电流等电气量变化的影响。触发雪崩倍增，导致功率 MOSFET 雪崩击穿。功率MOSFET的雪崩容限是芯片中功率器件的一个关键指标，它影响着开关电源的安全性和可靠性。系统可靠性密切相关。

功率MOSFET由几个并联的单元组成，每个单元包含三极管Nepi、二极管DP+和电容Cgs、Cgd和Cdb是VDMOS的内部寄生器件，由功率MOSFET内部的PN结等形成。高效器件在高频下受不同因素影响并作用于功率 MOSFET。

当MP2000DJ-ADJ-LF-Z电源管理芯片系统处于续流状态时，FB 引脚电压小于典型值 1.0V 且 Ds 超过 46%，系统检测到输出短路。如果此状态在 8 个开关周期内保持不变，则电路锁定并关闭开关，直到 VCC 降至关断电压以下并且电路重新启动。当电路处于过温保护状态时，输出将被关闭，以防止电路因过热而损坏。过温保护的温度点为155℃，过温保护的恢复具有迟滞特性，避免过温保护与正常工作状态之间的反复来回。迟滞范围为30°C，即电路温度降至125°C后电路才能正常工作。