MP200DS-LF-Z电源管理芯片在正向传导中，电子从源极表面的反型层形成的沟道进入漏极。在这个过程中，只有寄生体二极管在饱和区产生很小的电流分量。二极管和三极管对功率MOSFET影响不大。

当MP200DS-LF-Z电源管理芯片功率MOSFET器件反向关断时，感性负载使漏极电压高于功率MOSFET的规格电压。这时候会出现两种情况。一是漏极能量作用在功率MOSFET的寄生体二极管上，将其击倒。功率MOSFET进入雪崩击穿，二是漏极电压变化率过大，导致寄生晶体管Pi的基极串入电流，使基极电压超过其开启电压，从而激活晶体管进入导通状态，使功率MOSFET雪崩击穿。

MP200DS-LF-Z电源管理芯片的功率器件不会因触发雪崩而损坏，但具有一定的承受雪崩能量的能力。一般来说，功率器件的雪崩容限是从单脉冲雪崩容限和重复雪崩容限这两个特点来考虑的。无论强弱，当功率器件的雪崩容限超过极限时，芯片最终都会损坏。