MP174AGJ-Z电源管理芯片当单脉冲雪崩发生时，持续时间一般在微秒级。由于热电容的存在，瞬时热量不足以传递到芯片引线框架和封装，雪雪崩击穿位置的温度会急剧上升。当超过PN结的极限温度时，芯片的热击穿就会损坏。因此，单脉冲雪崩的极限温度是PN结的热击穿温度，而不是器件手册的标称最高工作温度。

MP174AGJ-Z电源管理芯片的反复雪崩主要有两种，一种是反复雪崩过程中芯片结温超过Tjmax对器件造成的损坏；另一种是由于热载流子效应导致的反复雪崩老化过程。器件参数漂移是一个缓慢的退化过程。

无论哪种情况，雪崩击穿都会导致功率MOSFET中的电荷激增，热量不能及时释放，导致功率MOSFET损坏。为了更好地配置功率MOSFET应用电路，客观评价功率MOSFET本身的性能，功率MOSFET的耐雪崩能力的测试显得尤为重要。