与光刻机的垄断巨头ASML相比，光刻机采用365纳米波长的光源，具有更长的波长和更低的紫外光成本。而且，光刻机可以实现22纳米的工艺芯片，这在国际上还是首例。光刻机的出现，以及超分辨率光刻设备项目的顺利实施，标志着中国打破了国外高科技垄断和设备禁运，为中国芯片领域的弯道超车提供了可能。

同时，也结束了我国光刻机被国外巨头垄断近半个世纪的现状。如今，中国终于自主研发了自己的光刻机，打破了国外在高端光刻机设备领域的垄断。它为纳米光学加工提供了新的解决方案，意味着我国在芯片集成电路芯片制造领域取得了新的突破，也为新一代信息技术、新材料、生物医药等先进战略技术领域提供了核心技术支撑，基本边疆与国防安全。

MP1653GTF-Z升降压芯片集成多种保护功能：如VDD欠压保护（UVLO）、VDD过压保护（OVP）、逐周期限流保护保护（OCP）、短路保护（FB SLP）、输出过压保护（FB OVP）、过温保护（OTP）和VDD钳位等。