MP023GS-Z升降压芯片场效应晶体管MOS晶体管参数:

低漏极-源极导通电阻: RDS (on) = 0.62 Ω (典型值)

高前向传输导纳: | Yfs | = 6.0 S (典型值)

低漏电流: IDSS = 10μa (VDS = 600V)

增强模式: Vth = 2.0至4.0V(VDS = 1 0V，ID = 1马)

MP023GS-Z绝对最大额定值:

注意: 在重载下连续使用 (如高温/电流/如果操作条件 (即，操作温度/电流/电压等) 在绝对最大额定值内，则施加电压和温度等的显著变化可能导致产品可靠性的显著降低。

MP023GS-Z热特性:

MP023GS-Z电气特性 (Ta = = 25 °C)

MP023GS-Z源漏额定值和特性 (Ta = = 25 °C)