锂离子电池的高能量密度使得电池的安全性难以保证。所以，使用可充电锂电池时，会有保护板保护电芯的安全。锂离子电池的保护电路由一个充电保护升降压芯片和两个MOSFET组成。升降压芯片有过充保护、过放保护、过流/短路保护都是用来保护锂电池单体安全的器件，那么在选择升降压芯片的时候，有哪些性能要求呢？

当锂离子电池处于过充状态时，为防止内压因温度升高而升高，必须关闭充电状态。MP2605DQ-LF-Z升降压芯片会检测电池电压，当检测到过充时，会关闭过充检测的功率MOSFET，切断充电。此时应注意过充电检测电压的高精度。在给电池充电时，将电池充电到充满状态是用户非常关心的问题。同时，安全问题也被考虑在内。因此，必须达到允许电压。当充电状态终止时。要同时满足这两个条件，就必须要有高精度的探测器。目前检测器的精度为25mV，精度将进一步提高。