据悉，硅光子芯片由国家信息光电创新中心、加速器科技公司、光纤通信技术与网络国家重点实验室、中国信息通信技术集团公司联合研发。由于硅材料来源丰富，成本低，机械性能好，耐高温能力非常好，便于芯片加工和封装。

量产的100G/200G全集成硅基相干光收发一体芯片及器件已通过用户现网测试，性能稳定可靠。芯片封装后，其硅光器件产品尺寸仅为312平方毫米，面积是常规器件的三分之一。

工业和信息化部牵头成立国家信息光电子创新中心，借助已在集成电路大规模商业化的CMOS工艺平台，实现硅光子芯片的生产制造。同时，也推动了四家单位的合作，实现了100G硅光子芯片的商业化，不仅展示了硅光子技术的优势，也表明我国已经具备了商业化的条件和基础。硅光子产品的设计。

MP86903-CGLT-Z升降压芯片内置绿色和突发模式控制，可实现轻载和零负载，可为小于60W的应用提供小于75mW的待机功率。