现在很多电源厂的芯片供应严重受阻，全球核心短缺问题越来越严重。这些因素导致很多电源厂的手机充电器芯片和快充芯片严重短缺。今天为大家讲解下V40120C-E3/4W与VB40100C-E3/8W升降压芯片的区别是什么。

一、VB40100C-E3/8W升降压芯片特点：

1) 专利QR控制，提高系统效率，改善异响；

2) 内置频率抖动改善EMI；

3) 内置高低压过流补偿；

4) 内置软启动，超低启动电流，引脚浮动保护；

5) 内置专利线损补偿，提高量产精度；

6）内置反馈引脚（FB）短路保护；

7) 支持50V高输出电压；

8) 初级反馈，内置MOSFET，封装形式为SOP-8。

AC/DC升降压芯片V40120C-E3/4W是一款多模式（MulTI-Mode）控制的高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）控制器。该芯片内置功率MOS，最大限度地减少系统元器件数量，并采用调频方式提高系统效率，降低电磁干扰。内置环路补偿可以节省额外的补偿或滤波电容，并内置电缆压降补偿，从而实现良好的负载调节。