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PDS5100HQ-13D与BZX84C9V1Q升降压芯片的区别

时间:2022-05-27 预览:932

PDS5100HQ-13D与BZX84C9V1Q升降压芯片的区别

如今,很少有人质疑国内厂商开发芯片的可行性和重要性。通过麒麟处理器和手机产品的表现,华为已经表明了自主研发芯片的意义是多么重要,尽管这条路并不容易,不是每个人都能继续。

当高通骁龙810发热而遭遇热议时,华为凭借承载了海丝麒麟925的Mate7走红。当时,极其低调的华为海丝进入公众视野。

一、PDS5100HQ-13D升降压芯片的性能特点

* 5A高压肖特基势垒整流器

* VR (V) 100

* IF (A) 5.0

* VF MAX (V) @ +25°C  0.71

* IR MAX (mA) @ +25°C 0.0035

二、BZX84C9V1Q升降压芯片的性能特点

* 350mW齐纳二极管

* VF 0.9V

* VZ @ IZT  9.1V

* ZZT @ IZT  15欧

* IR 0.5

* VR 6.0