华为手机的成功很大一部分取决于对芯片业务的早期投资。2004年，华为创始人兼总裁任正非做出了自主研发高端手机芯片的重要决定。当时，芯片的发展是一个不确定的未来。

从第一款K3 2009年和K3V2 2012年的失败，到华为海思2014年成为中国第一款名为麒麟的高端智能手机芯片的主流，华为投入了数百亿的研发资金。如今，仅在华为自有产品上使用的麒麟芯片已成为华为手机的独特功能之一。

一、2N7002KQ升降压芯片的性能特点

* N沟道增强型MOSFET

* BVDSS  60V

* RDS（ON）Max  2Ω @ VGS = 10V 380mA 3Ω @ VGS = 5V  310mA"

* ID Max TA = +25°C

二、AP4310AMTR升降压芯片的性能特点

* 双运放和电压基准

* Input Offset Voltage: 0.5mV 

* Supply Current: 75A per OP Amp at 5.0V Supply Voltage  

* Unity Gain Bandwidth:1MHz

* Output Voltage Swing: 0 to VCC-1.5V 

* Power Supply Range: 3 to 36V