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1N4148WSQ与BAW56Q升降压芯片的比较

时间:2022-05-28 预览:586

1N4148WSQ与BAW56Q升降压芯片的比较

据上海海关统计,2016年,上海集成电路出口1130.7亿元,同比增长8.5%。近日,总投资2600亿元的紫光南京半导体产业基地和新IT投资研发总部项目正式宣布落户南京。此前,紫光已与成都合作投资2000亿元建设紫光IC国际城项目,在武汉又投资197亿元持有长江仓储51.04% 股权。业内人士表示,中国希望满足自身市场2025年的70% 需求,集成电路的国产化将进一步推进。

一、1N4148WSQ升降压芯片的性能特点

• VRM 100 V

• VRRM VRWM VR/ 75 V

• VR(RMS) 53 V

• IFM 300 mA

• IO 150 mA

• IFSM  @ t = 1.0µs 2.0A@ t = 1.0s 1.0 A

二、BAW56Q升降压芯片的性能特点

• 小讯号开关二极管

• VRM 100 V

• VRRM VRWM VR /75 V

• VR(RMS)53V

• IFM 300 mA

• FSM  @ t = 1.0µs  2.0A@ t = 1.0s  1.0A