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BCP55TA与BZT52C3V3Q升降压芯片的比较

时间:2022-05-28 预览:777

BCP55TA与BZT52C3V3Q升降压芯片的比较

升降压芯片的智能化是由于大势所趋,或者可以主动 “匹配” 平台主芯片功能不断升级的需求。随着系统功能越来越复杂,对能耗的要求也越来越高,客户对电源运行状态的感知和控制要求也越来越高。电源设计人员不再满足于对电流,电压和温度的实时监控。并提出了诊断电源和灵活设置每个输出电压参数的要求。此外,升降压芯片必须有效连接到电路板上供电所需的设备,因为系统更需要电源子系统和主系统之间的实时协作和协作,甚至支持通过云进行监控和管理。智能化的管理和监管已经成为必须。

一、BCP55TA升降压芯片的性能特点

• SOT223中的NPN中功率晶体管

• VCBO 60V

• VEBO  5V

• IC   1A

• ICM  2A

• IBM  200mA

二、BZT52C3V3Q升降压芯片的性能特点

• Forward Voltage @ IF = 10mA  0.9V

• Power Dissipation (Note 8) @TA = +25°C PD 370 mW

• VZ@IZT 3.3V

• ZZT @ IZT 95Ω

• IR 5.0uA  @VR  1.0V