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ZXTN25012EFHTA与MBR2150VRTR升降压芯片的比较

时间:2022-05-28 预览:555

ZXTN25012EFHTA与MBR2150VRTR升降压芯片的比较

以国内代工龙头中芯国际为例。其在下半年2016年宣布将新建三条生产线: 2016年10月宣布在中芯国际上海斥资675亿元新建12英寸生产线,并在中芯国际天津斥资15亿美元扩建8英寸生产线。11月年,宣布将启动中芯国际深圳12英寸生产线项目。

在业内人士看来,要发展半导体产业,中国必须打造完整的产业链,此轮半导体制造产能扩张是必然的,也是必要的,这可能是世界级制造商的诞生。

一、ZXTN25012EFHTA升降压芯片的性能特点

• 12V,SOT23,NPN中功率晶体管

• BVCEO > 12V   BVECX > 6V   hFE > 500 

• IC(cont) = 6A    VCE(sat) < 32mV @ 1A   

• RCE(sat) = 23m   PD = 1.25W

二、MBR2150VRTR升降压芯片的性能特点

• 高压功率肖特基整流器

• VRRM (V) 150

• IO (A)  2

• VF (MAX) (V) @ +25°C  0.85

• IR (MAX) (mA) @ +25°C 0.1