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BCP5610TA与DUP2105SOQ升降压芯片的比较

时间:2022-05-28 预览:772

BCP5610TA与DUP2105SOQ升降压芯片的比较

中国科学院微电子研究该研究所所长叶甜春说,中国的高端芯片、制造设备、工艺和材料依赖进口,受制于人。要支撑中国未来30年的发展,必须解决 “中国芯” 的问题。尽管中国芯片行业起步较晚,但竞争压力较大。不过,一些中国企业已经开始努力摆脱对国外芯片的依赖,自己开发中国的 “核心”。

业内人士表示,国家应做出更有效的整体产业规划,出台地方政府上马半导体项目的评估和监管制度,加强对地方资金的监管。集成电路产业也需要顶层设计,引导产业有序健康发展。

一、BCP5610TA升降压芯片的性能特点

* NPN, 80V, 1A, SOT223

* VCBO 100V

* VCEO 80V

* Ic 1A高持续集电极电流

* ICM 2A峰值脉冲电流

* 2W功耗

二、DUP2105SOQ升降压芯片的性能特点

* 双线CAN总线保护器

* VBR (Min)   26.2V  IPP (Max)  8A     IR (Max) 100nA