充电器电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1具有节能环保的特点，电磁兼容性强，外围电路也很简单。该芯片具有多模式控制，内置六级能效标准的650V高压MOSFET，动态响应出色，工作稳定，无异常噪声，高SR（同步整流）兼容性，并提供极其全面的附加功能，包括输出欠压保护、输出过压、输出欠压等保护功能。该芯片采用 SOP-8 封装。

充电电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1内置超低压降功率MOSFET，提高电流输出能力，提高转换效率，降低芯片温度。 MBR5200VPTR-E1 处于开关模式，仅适用于 DCM 和 QR 模式的开关电源。当芯片检测到VDET<-400mV时，控制器驱动功率MOSFET导通；当芯片检测到流过功率MOSFET的电流下降到-10mV阈值时，控制器驱动功率MOSFET关断。该芯片提供了极其全面的附加功能，包括输出欠压保护、输出过压等保护功能。内置高压启动电路可支持系统输出电压仅为2V，芯片仍可正常工作。

充电电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1 特点：原边反馈/内置MOSFET 内置环路补偿，无需额外补偿或滤波电容，提高系统效率。优化降频曲线，降低电磁干扰固体多模高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）稳压器。