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充电器电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1具有节能环保的特点,电磁兼容性强,外围电路也很简单。该芯片具有多模式控制,内置六级能效标准的650V高压MOSFET,动态响应出色,工作稳定,无异常噪声,高SR(同步整流)兼容性,并提供极其全面的附加功能,包括输出欠压保护、输出过压、输出欠压等保护功能。该芯片采用 SOP-8 封装。
充电电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1内置超低压降功率MOSFET,提高电流输出能力,提高转换效率,降低芯片温度。 MBR5200VPTR-E1 处于开关模式,仅适用于 DCM 和 QR 模式的开关电源。当芯片检测到VDET<-400mV时,控制器驱动功率MOSFET导通;当芯片检测到流过功率MOSFET的电流下降到-10mV阈值时,控制器驱动功率MOSFET关断。该芯片提供了极其全面的附加功能,包括输出欠压保护、输出过压等保护功能。内置高压启动电路可支持系统输出电压仅为2V,芯片仍可正常工作。
充电电源管理芯片 MBR5200VPTR-E1 特点:原边反馈/内置MOSFET 内置环路补偿,无需额外补偿或滤波电容,提高系统效率。优化降频曲线,降低电磁干扰固体多模高精度原边反馈控制(PSR)恒流恒压(CC/CV)稳压器。