AL5816QW5-7升降压芯片的稳压器开启初级侧MOSFET在此期间，IC 的内部 7.1V 稳压器从其漏极引脚汲取电流为 VDD 供电，因此 VDD 电压恒定在 7.1V 左右。

AL5816QW5-7系统升降压芯片开启后，芯片内部的高压LDO从漏极引出电流给VDD电容供电。当 VDD 电压低于欠压保护阈值（典型值为 3.1V）时，芯片进入休眠模式，内部同步整流 MOSFET 进入关断状态，次级绕组电流通过二极管实现续流内部同步整流MOSFET。当 VDD 电压高于 VDD 开启电压（典型值为 4V）时，芯片开始工作。芯片内部的同步整流MOSFET只能在副边续流期间导通。

升降压芯片 AL5816QW5-7 特点：反激式拓扑，副边同步整流电源开关，支持浮地和共地同步整流，双拓扑，支持断续模式（DCM）和准谐振模式（QR）工作，<300uA超低静态电流，内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，内置40V功率MOSFET。

AL5816QW5-7 反激式转换器/充电器升降压芯片支持同步整流“浮动”和“共地”两种架构，同时支持同步整流的非连续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR) AL5816QW5-7 芯片是强大的同步整流功率开关，用于替代反激式转换器中的次级肖特基二极管，内置超低导通电阻功率MOSFET，提高系统效率。 AL5816QW5-7升降压芯片集成了VDD欠压保护功能和VDD电压钳位，内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低系统成本。