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AL5816QW5-7升降压芯片的稳压器开启初级侧MOSFET在此期间,IC 的内部 7.1V 稳压器从其漏极引脚汲取电流为 VDD 供电,因此 VDD 电压恒定在 7.1V 左右。
AL5816QW5-7系统升降压芯片开启后,芯片内部的高压LDO从漏极引出电流给VDD电容供电。当 VDD 电压低于欠压保护阈值(典型值为 3.1V)时,芯片进入休眠模式,内部同步整流 MOSFET 进入关断状态,次级绕组电流通过二极管实现续流内部同步整流MOSFET。当 VDD 电压高于 VDD 开启电压(典型值为 4V)时,芯片开始工作。芯片内部的同步整流MOSFET只能在副边续流期间导通。
升降压芯片 AL5816QW5-7 特点:反激式拓扑,副边同步整流电源开关,支持浮地和共地同步整流,双拓扑,支持断续模式(DCM)和准谐振模式(QR)工作,<300uA超低静态电流,内置VDD高压供电模块,无需VDD辅助绕组供电,内置40V功率MOSFET。
AL5816QW5-7 反激式转换器/充电器升降压芯片支持同步整流“浮动”和“共地”两种架构,同时支持同步整流的非连续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR) AL5816QW5-7 芯片是强大的同步整流功率开关,用于替代反激式转换器中的次级肖特基二极管,内置超低导通电阻功率MOSFET,提高系统效率。 AL5816QW5-7升降压芯片集成了VDD欠压保护功能和VDD电压钳位,内置VDD高压供电模块,无需VDD辅助绕组供电,降低系统成本。