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内置MOS高性能PWM电源的MP2605DQ-LF-Z升降压芯片

时间:2022-04-09 预览:730

MP2605DQ-LF-Z升降压芯片

MP2605DQ-LF-Z升降压芯片的集成电路特性:

1、内置650伏耐压大功率MOSFET管

2、可编程外部过热保护OTP

3、专利 “零OCP恢复间隙控制”,避免低压启动失败

4、内置软启动,引脚浮动保护

5、超低启动电流

6、内置频率抖动提高EMI

7、内置同步斜率补偿,逐周期限流

8、内置前沿消隐

MP2605DQ-LF-Z升降压芯片的IC应用场景:

1、手持式数字适配器

2、电视/电脑辅助电源

3、手机/平板充电器

4、发光二极管驱动电源

5、更换线性电源

MP2605DQ-LF-Z升降压芯片最大输出功率为6W,封装有SOP-8。