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50w二次侧反馈外推MOS升降压芯片MP2565DN-LF-Z

时间:2022-04-09 预览:952

升降压芯片MP2565DN-LF-Z

升降压芯片MP2565DN-LF-Z可输入全电压90V ~ 264V,典型输出12V2A,最大输出功率50W;广泛应用于机顶盒、路由器、监控电源适配器等;外部驱动mos管,采用SOT23-6封装。

升降压芯片MP2565DN-LF-Z的特点:

▲ 专利的 “热响应抑制” 技术扩展系统SOA(SF1531)

▲ 专利 “n- Balance技术,提高全电压和满负荷效率

▲ 专利 “零CP恢复问题控制” 避免低压启动损失

▲ 专利 “easy-EM” M技术支持低功耗无传输共模

▲ 系统频率半可编程,并内置半保持改为通用EM

▲ 周期性限流,内置边缘消除

▲ 内置高低压过充建筑实全压平OCP曲线

升降压芯片MP2565DN-LF-Z次级侧反馈/外部驱动MOSFET,引脚浮动保护,可编程系统频率,内置频率抖动EMI,内置同步斜率补偿,逐周期电流限制,内置前沿消隐,内置高低压过流补偿,实现全电压平坦OCP曲线,具有输出过压保护、VDD欠压保护、VDD过压保护等功能。