MP2672GD-000D-Z升降压芯片将离子注入晶圆中，生成相应的P和N半导体。具体过程是从硅片上的暴露区域开始，将其放入化学离子混合物中。这个过程改变了掺杂区域的导电方式，允许每个晶体管打开、关闭或传输数据。简单的芯片只能使用一层，而复杂的芯片通常有很多层。这时候不断重复这个过程，可以通过开窗来连接不同的层。这类似于多层PCB板的生产原理。更复杂的芯片可能需要多层二氧化硅，这是通过重复光刻和上述工艺形成三维结构来实现的。

MP2672GD-000D-Z升降压芯片经过以上工序，在晶圆上形成格子状的晶粒。每个裸片的电气特性都是通过针测试来测试的。一般来说，每个芯片都有大量的die，组织针测模式是一个非常复杂的过程，需要在生产过程中尽可能多地批量生产具有相同芯片规格和结构的模型。数量越大，相对成本越低，这也是主流芯片器件成本低的一个因素。