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DMP6023LFGQ与AN431AN-ATRG1升降压芯片的区别

时间:2022-05-27 预览:925

DMP6023LFGQ与AN431AN-ATRG1升降压芯片的区别

如果松果处理器上市,小米将成为继华为之后,中国第二家使用自己开发的处理器的智能手机制造商。这是一个巨大的坑,还是一条平坦的道路?芯片的技术门槛高,投入成本高,未来小米手机的出货量能否支撑和分担其芯片的投入成本,仍有待验证,技术的成熟度和产品的竞争力也是一大未知数。

一、DMP6023LFGQ升降压芯片的性能特点

* 60V P沟道增强型MOSFET

* V(BR)DSS -60V

* RDS(ON) max  25mΩ@VGS=-10V-7.7A  33mΩ@VGS=-4.5V -6.8A

* ID max TA = +25°C

二、AN431AN-ATRG1升降压芯片的性能特点

* 2.5 SOT23 可调并联调节器

* 可编程精密输出电压2.5V至36V

* 低温偏差 4.5mV

* 低等效全量程温度系数,典型温度为20PPM/oC

* 低动态输出电阻:0.15Ω 典型的

* 吸收电流容量从1mA到100mA

* 低输出噪声 SOT23