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2022-04
MP1658GTF-Z电源管理芯片对于那些在元件两端产生较大峰值电压的应用，必须考虑器件的雪崩能量。电压峰值集中的能量主要由电感和电流决定。因此，对于反激式应用，电路是关闭的。会产生很大的电压尖峰。在正常情况下，功率器件会降额以留出足够的电压裕度。但
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MP174AGJ-Z电源管理芯片当单脉冲雪崩发生时，持续时间一般在微秒级。由于热电容的存在，瞬时热量不足以传递到芯片引线框架和封装，雪雪崩击穿位置的温度会急剧上升。当超过PN结的极限温度时，芯片的热击穿就会损坏。因此，单脉冲雪崩的极限温度是PN结的热
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MP200DS-LF-Z电源管理芯片在正向传导中，电子从源极表面的反型层形成的沟道进入漏极。在这个过程中，只有寄生体二极管在饱和区产生很小的电流分量。二极管和三极管对功率MOSFET影响不大。当MP200DS-LF-Z电源管理芯片功率MOSFET器件
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什么是MOS管的雪崩？雪崩容限是指施加电压时的击穿电阻。当功率MOSFET反向偏置时，内部载流子会受到漏极电压和电流等电气量变化的影响。触发雪崩倍增，导致功率 MOSFET 雪崩击穿。功率MOSFET的雪崩容限是芯片中功率器件的一个关键指标，它影响着
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MP2012DQ-LF-Z电源管理芯片在实际应用设计中，输出电压在电缆上会有不同程度的压降VCAB。考虑到MP2012DQ-LF-Z电源管理芯片不同输出电流下的VD基本不变，忽略这个因素，主要考虑与输出电流成正比的VCAB。因此，为了提高输出电压的负
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MP2015AGG-Z电源管理芯片由关断延迟时间引起的实际检测到的峰值电流值，与输入交流电压的增加增加，而峰值电流值直接反映了输出电流，所以输出电流与输入交流电压的线性调整率会比较差。MP2015AGG-Z电源管理芯片利用反馈电压FB脚的负电平检测交
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